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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.73: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Defekt- und Strukturuntersuchungen an kubischen GaN und InGaN-Schichten — •J. Portmann¹, C. Haug¹, R. Brenn¹, T. Frey², D.J. As² und K. Lischka² — ¹Fakultät für Physik, Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, 79104 Freiburg — ²Universität GH Paderborn, FB6 Physik, 33095 Paderborn

Am Freiburger 7 MV Van de Graaff Ionenbeschleuniger wurden kubische GaN- und In_xGa_1−xN-Schichten auf (001) GaAs-Substraten untersucht. Als Analysemethoden wurden Rutherford-Rückstreuung (RBS), Ionenchanneling und Nuclear Reaction Analysis verwendet. Ziel der Messungen war die Defektcharakterisierung und die Untersuchung des Einbaus von In in kubisches GaN.
Eine erste Charakterisierung der Schichten erfolgte mit RBS. Aus den Spektren konnten die Schichtdicken und die In-Konzentrationsprofile in den ternären Schichten bestimmt werden. Die so gemessenen In-Konzentrationen weichen deutlich von den mit Röntgenmethoden bestimmten Konzentrationen ab.
Mit Ionenchanneling wurden die Schichten auf Struktur und Defekte analysiert. Dazu wurde die Empfindlichkeit des Ionenchannelings auf die unterschiedlichen Defekttypen in den Schichten untersucht. Es stellte sich heraus, daß die Methode hauptsächlich auf Versetzungen in den Schichten empfindlich ist. Aus Winkelscans mit Ionenchanneling kann die Orientierung der Kristallite untersucht werden. Ein Vergleich von Winkelscans erlaubt die Bestimmung des Einbaus von In auf substitutionellen Gitterplätzen in kubischem GaN.