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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.75: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Abklingverhalten der gelben Lumineszenzbande in GaN und der violetten Lumineszenzbande in AlN — •R. Freitag, K. Thonke und R. Sauer — Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, D-89069 Ulm

In Galliumnitrid wird in Photolumineszenzmessungen bei 2.2eV eine breite, Defekt-korrelierte Bande beobachtet, die Donator-Akzeptor-Übergängen zugeschrieben wird. In Aluminiumnitrid findet man eine offensichtlich analoge Bande bei ca 3.1eV. Wir untersuchen das Abklingverhalten beider Banden, indem der anregende Laser mit einer zyklischen Pseudozufallsbitfolge moduliert und das Lumineszenzsignal damit kreuzkorreliert wird. Es zeigt sich, daß die Photolumineszenzintensität in beiden Fällen nach einem algebraischen Zeitgesetz abfällt und sich nur geringfügig mit der Lumineszenzwellenlänge ändert. Bei der gelben Lumineszenz des GaN zeigen sich zwei Komponenten, von denen die eine durch DAP-Übergänge und die andere durch tiefe Störstellen verursacht wird.