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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.76: Poster

Wednesday, March 24, 1999, 14:00–18:00, Z

MOVPE von GaAsN mit Tertiärbutylhydrazin — •M. Klein, K. Knorr, T. Schmidtling, U. W. Pohl und W. Richter — Institut für Festkörperphysik, Sekretariat PN 6-1, Technische Universität Berlin, Hardenbergstraße 36, 10623 Berlin

Die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) von GaAs1−xNx erfordert niedrige Wachstumstemperaturen zum Erzielen hoher Stickstoff-Konzentrationen x. Die stabile Standardquelle NH3 ist hierfür nicht geeignet. Wir haben für die Epitaxie von GaAsN auf GaAs erfolgreich Tertiärbutylhydrazin (tBHy) als alternative Stickstoffquelle eingesetzt.

Es wurde die Variation in der Wachstumstemperatur (530C bis 600C) und des pN/(pN+pAs)-Angebots untersucht. Zusätzlich wurden die Arsenquellen AsH3 und Tertiärbutylarsin (tBAs) bezüglich des Stickstoffeinbauverhaltens verglichen.

Der Einfluß des Stickstoffs auf die Oberflächenrekonstruktion und die Wachstumsrate wurde in-situ mit Reflexions Anisotropie Spektroskopie (RAS) bestimmt. Die strukturelle Qualität von relaxierten und unrelaxierten Schichten wurde mittels Röntgenbeugung und spektoskopischer Ellipsometrie ex-situ charakterisiert.

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