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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.78: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

NEXAFS Untersuchungen an Al_xGa_1−xN — •R, Dimitrov, O. Ambacher, M. Stutzmann², M. Lübbe, M. Kunze, T.U. Kampen¹ und D.R.T. Zahn¹ — ¹Institut für Physik, Technische Universität, D-09107 Chemnitz — ²TU München, Walter Schottky Institut, D-85748 Garching

Die binären III-V-Nitride GaN und AlN sind breitbandige Halbleiter mit einer direkten Bandstruktur, und aufgrund dieser Eigenschaft sind sie sehr interessante Materialien für Anwendungen in der Optoelektronik. Die Verwendung der ternären Verbindungen ermöglicht zudem die Variation des Bandabstandes über einen großen Bereich bei Beibehaltung der Gitterkonstanten. Wir haben durch Röntgenabsorptionsexperimente die partielle Stickstoff p- Zustandsdichte für verschiedene Kompositionen x von Al_xGa_1−xN bestimmt. Die Messungen zeigen eine qualitative Übereinstimmung mit LDOS-Rechnungen [1]. Durch Variation der Polarisationsrichtung kann die geometrische Anisotropie der Proben und daraus die Kristallstruktur bestimmt werden. Zusätzlich wurde ein dünner GaN-Film durch Nitridierung von GaAs(001) hergestellt. Aufgrund der geringen Schichtdicke und einer starken Unordnung in diesem Film sind derartige Proben nur schwierig mit anderen Methoden (Raman, XRD) zu charakterisieren. Mit Hilfe der oberflächenempfindlichen Röntgenabsorptionsmessungen gelang es, die Struktur der sich bildenden Kristallite sowie ihre Orientierungsverteilung zu bestimmen.

Diese Arbeiten wurden mit Mitteln des Innovationskollegs „Methoden und Materialsysteme für den Nanometerbereich“der DFG durchgeführt.

[1] Yong-Niau Xu, W.Y. Ching, Phys. Rev. B 48 (1993) 4335.