Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.8: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Flugzeitmessungen an optisch generierten Ladungsträgerplasmen in GaAs — •T. Witte, R. Ziebold und R.G. Ulbrich — IV. Physikalisches Institut, Bunsenstr. 13, 37073 Göttingen

In 2- Farb- Anregungs- und Testexperimenten mit fs- Laserpulsen (ℏ ω >  E_Gap) wurden Laufzeitmessungen von Elektron-Loch-Plasmen bei 300K an GaAs mit Dicken von 1.5 − 3.5 µ m durchgeführt. Hierzu haben wir gleichzeitig die Änderung der Intensität der transmittierten Testpulse (Δ T), die Änderung der Intensität der reflektierten Testpulse (Δ R) sowie die Änderung des Reflexionswinkels (Δ Θ)gemessen. Das Elektron-Loch-Plasma wird entweder auf der Vorder- oder Rückseite der Probe generiert.
Während bei der Transmissionsmessung eine räumliche Mittelung in Ausbreitungsrichtung des Lichtes stattfindet, sind Reflexion und Reflexionswinkeländerung nur sensitiv auf Ladungsträger im oberflächenenahen Bereich. Aus dem Vergleich von Δ R und Δ Θ bei Anregung auf Rückseite bzw. Vorderseite der Probe ziehen wir Rückschlüsse auf die raumzeitliche Entwicklung im fs- bis ps- Breich der anfänglich räumlich inhomogen angeregten Ladungsträgerverteilung (Durchmesser 16 µ m, Absorptionslänge 1 µ m).
Diese Arbeit wird im Rahmen des SFB 345 gefördert.