Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.80: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Berechnung elektronischer und optischer Eigenschaften von GaN-AlGaN-Quantum-Well-Strukturen — •V. Nakov, R. Goldhahn und G. Gobsch — Institut für Physik, TU Ilmenau, PF 100565, 98684 Ilmenau, Germany

Quantum-Well-(QW-)Strukturen auf der Basis von GaN-AlGaN gelangen zunehmend in optoelektronischen Bauelementen zum Einsatz, z. B. in LEDs und in Lasern für den blauen und ultravioletten Spektralbereich.

In diesem Beitrag werden selbstkonsistente Berechnungen der elektronischen Subbandstruktur von GaN-AlGaN-QW-Strukturen auf der Grundlage der k·p-Theorie vorgestellt. Dabei wird besonders auf den Einfluß der Kristallstruktur (Zinkblende oder Wurtzit), der Verspannungen infolge der Gitterfehlanpassung und des piezoelektrischen Feldes (im Falle der Wurtzitstruktur) eingegangen.

Darüber hinaus werden der Absorptionskoeffizient und die optische Verstärkung bei Berücksichtigung von Ladungsabschirmeffekten berechnet.

Die Ergebnisse werden im Hinblick auf die Variationsbreite der Materialparameter, auf den Einfluß des Al-Gehalts und der QW-Breite sowie der Stärke des piezoelektrischen Feldes diskutiert.