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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.81: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Temperaturabhängige Kathodolumineszenz-Messungen an MBE -Aluminiumnitrid-Schichten — •M. Grehl¹, K. Kornitzer¹, N. Teofilov¹, W. Limmer¹, K. Thonke¹, R. Sauer¹, D.G. Ebling², L. Steinke² und K.W. Benz² — ¹Abteilung Halbleiterphysik, Universität Ulm, 89069 Ulm, Germany — ²Freiburger Materialforschungszentrum, Universität Freiburg, 79104 Freiburg

Aluminiumnitrid (AlN) Schichten wurden auf (0001) Si-terminierten SiC- und (0001) Saphir-Substraten mittels RF-Plasma-unterstützter MBE gewachsen. Wir charakterisieren diese heteroepitaktischen AlN-Schichten durch Kathodolumineszenz- (CL) und Ramanmessungen. Letztere erlauben eine Bestimmung der E₂- und A₁(LO)-Frequenzen dieser verspannten Schichten. Die CL Untersuchungen liefern aufgelöste exzitonische Übergänge im bandkantennahen Bereich und zugehörige Phononenrepliken. Aus temperaturabhängigen CL-Messungen können Rückschlüsse auf die Natur der strahlenden Übergänge gezogen werden. Charakteristisch für jede Probe sind nicht nur die optischen Übergänge nahe der Energiebandlücke, sondern auch die verunreinigungsabhängige Struktur der breitbandigen violetten Lumineszenz im Bereich von 2 eV bis 5 eV.