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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.83: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Strukturelle, elektrische und optische Charakterisierung halbleitender Ru₂Si₃-Schichten — •D. Lenssen, R. Carius, C. Dieker, D. Guggi, H.L. Bay und S. Mantl — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich

Ab-initio-Bandstrukturberechnungen zeigen, daß Ru₂Si₃ ein direkter Halbeiter ist. Bestätigt wird dies durch elektrische Messungen an makroskopischen Kristallen bei hohen Temperaturen, die zu einer Bandlücke zwischen 0,7 und 1,1 eV führen. Dies entspricht dem technologisch wichtigen Bereich um 1,5 µm, dem absoluten Verlustminimum in Glasfaserkabeln.
Epitaktische Silizidfilme wurden auf Si(100) und Si(111) mit der sog. Template-Methode gewachsen. Transmissionselektronenmikroskopieaufnahmen

(TEM) und Röntgenbeugung (XRD) zeigen, daß der Film epitaktisch wächst, aber stark texturiert ist. Die Orientierungsbeziehungen des Filmes zum Substrat wurden bestimmt.
Für elektrische Messungen wurden Schichten auf SIMOX-Wafern aufgewachsen um Parallelleitung durch das Substrat auszuschließen. Erste Van-der-Pauw-Messungen bestätigen die halbleitenden Eigenschaften und führen zu einer Bandlücke in Übereinstimmung mit früheren Messungen. Erste optische Messungen werden z.Zt. durchgeführt.