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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.84: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Präparation und Sruktur epitaktischer α-Sn-Filme auf InSb(001) — •W. Keune¹, O. Marks¹ und K. Mibu² — ¹Lab. f. Angew. Physik, Univ. Duisburg, D-47048 Duisburg, Germany — ²Inst. for Chemical Reseach, Kyoto Univ., Uji, Japan

Graues Zinn (α-Sn) besitzt Diamantstruktur und ist ein Halbleiter mit verschwindender Bandlücke und sehr hoher Elektronenmobilität. Obgleich α-Sn oberhalb von 12.3 ^∘C instabil wird (α-β-Umwandlung), kann es durch Heteroepitaxie auf InSb(001) stabilisiert werden [1]. Wir haben α-Sn-Filme (bis 1100 Å Dicke) auf InSb(001) mittels MBE präpariert. Die Substrate wurden durch Ar-Ionenätzen (500 eV, 1 µA/cm²) bei 200 ^∘C, gefolgt von Ausheilen bei 350 ^∘C, gereinigt. Danach zeigte sich im RHEED- und LEED-Bild eine scharfe (4×2)-Rekonstruktion, Anschließendes Aufwachsen von Sn bei Raumtemperatur (Rate 0.05 - 0.15 Å/s) ergab pseudomorphes α-Sn(001) mit (2×2)-Rekonstruktion im RHEED- und LEED-Bild. ¹¹⁹Sn-Mössbauerspektren (CEMS) an 1100 Å dicken α-Sn-Schichten zeigten, die typische Einzellinie von einphasigem α-Sn. Die Isomerieverschiebung weist auf ein leicht komprimiertes Gitter aufgrund der Fehlanpassung mit dem Substrat hin.
D. T. Wang et. al., Phys. Rev. B 56, 13167 (1997)
Gefördert durch die DFG (Graduiertenkolleg ,,Struktur und Dynamik heterogener Systeme“).