Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 23: Poster II
HL 23.85: Poster
Wednesday, March 24, 1999, 14:00–18:00, Z
Einfluß des Trägergases auf die p- und n-Dotierung von mit MOVPE hergestelltem AlInP und AlGaInP für DH-AlGaInP-LEDs — •D. Gauer1, T. Hauck1, H. Hardtdegen1, K. Wirtz1, U. Breuer2, H. Holzbrecher2, D. Schmitz3 und M. Heuken3 — 1FZ Jülich, Institut für Schicht- und Ionentechnik — 2FZ Jülich, Zentralabteilung für Chemische Analysen — 3AIXTRON AG, Aachen
Die MOVPE von UHB-AlGaInP-LED-Strukturen in
Wasserstoffatmosphäre ist Standardverfahren. Bisherige
Forschungsergebnisse [1] weisen jedoch auf verbesserte
Epitaxiebedingungen unter Stickstoffatmosphäre hin. So konnten z.B.
Homogenität und Effizienz gesteigert werden, von der erhöhten
Prozeßsicherheit ganz abgesehen.
In diesem Beitrag
werden die Auswirkungen des Trägergastausches auf die Dotierungen
der Mantelschichtsysteme Al0,54In0,46P und
(Al0,7Ga0,3)0,52In0,48P für orange-gelbe LEDs
vorgestellt. So zeigen die mittels Hall-Messungen und SIMS (secondary
ion mass spectrometry) erhaltenen Daten u.a., daß die schwierige
p-Dotierung von AlInP mit Cp2Mg unter N2 höhere
Akzeptorkonzentrationen liefert als unter H2. Dieses sowie die
n-Dotierung von (Al0,7Ga0,3)0,52In0,48P mit
Disilan werden diskutiert und verglichen.
[1] M.Hollfelder et al. J. Crystal Growth 170, 103 (1997)