Münster 1999 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.87: Poster

Wednesday, March 24, 1999, 14:00–18:00, Z

Epitaktische CaSi₂- und Siloxenschichten auf Silizium — •Günther Vogg, Martin S. Brandt und Martin Stutzmann — Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, 85748 Garching

Das 2-dimensionale Si-Polymer Siloxen (Si₆O₃H₆) wurde und wird vor allem wegen seiner starken Lumineszenz untersucht. Dünne epitaktische Filme dieses Materials sind dabei sowohl für die weitere Untersuchung der physikalischen Eigenschaften als auch für technologische Anwendungen von Siloxen sehr nützlich. Das Ausgangsmaterial Ca-Si₂ wird über die reaktive Abscheidung (RDE) von Ca auf geheizte Si-Substrate erzeugt und über eine nachfolgende topochemische Reaktion mit HCl zu Siloxen umgewandelt. Un-terschiedlich orientierte Si Substrate führen dabei zu speziellen Orientierungen der epitakti-schen Schichten. Wegen der geringen Gitterfehlanpassung von CaSi₂ auf (111) Si können hochkristalline Schichten von einigen 100nm Dicke auf diesen Substraten gewachsen werden. Schichten auf (110) Si erlauben insbesondere die Untersuchung der Anisotropie von CaSi₂ und Siloxen. Mittels Rasterelektronmikroskopie sowie hochauflösender Röntgenbeugung wurde die strukturelle Qualität von Silizid und Siloxen untersucht. Auf-grund der hohen Schichtqualität ist es dabei u.a. gelungen, eine sechszählige Stapelfolge in der Einheitszelle von Siloxen zu identifizieren, was genau der Stapelung im Ausgangsmaterial CaSi₂ entspricht.