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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.88: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Thermodynamische Analyse der epitaktischen Herstellung von GaN im GaCl₃/NH₃/N₂-System — •M. Topf, C. Weidemeyer, F. Cavas, D.M. Hofmann und B.K. Meyer — Justus-Liebig-Universität, I. Physikalisches Institut, Heinrich-Buff-Ring 16, 35392 Giessen

Die Hydrid-Gasphasenepitaxie (HVPE) hat in den letzten Jahren für die Herstellung von sogenannten ELOG-Substraten, die als Ausgangsmaterial für die Herstellung von Bauelementen auf Basis der Gruppe III-Nitride dienen, an Bedeutung gewonnen. Als Alternative zur klassischen HVPE wird hier eine Chloridtransport VPE vorgestellt, bei der GaCl₃ an Stelle des bei der HVPE in situ aus HCl und Ga synthetisierten GaCl als Ga-Vorstufe dient. Dieses GaCl₃/NH₃/N₂-System kann ebenso wie die anderen Chloridtransportverfahren zu einem großen Teil durch die Analyse thermodynamischer Gleichgewichtsprozesse verstanden werden. Das Wachstumsverhalten wird in Abhängigkeit von den Parametern Temperatur und Druck, sowie den jeweiligen Gasflüssen im Rahmen thermodynamischer Berechnungen analysiert und der Einfluß von kinetischen Prozessen diskutiert.