Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.92: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

PN-Übergang als elektrochemischer Ätzstop fuer die Herstellung von Siliziummembranen — •Eva Sossna, Artur Degen, Feng Shi und Rainer Kassing — Technische Physik (IMA), Universität Gh Kassel, Heinrich-Plett-Str.40, 34132 Kassel

Eine Herausforderung, um mit der Mikrostrukturierung in den Nanobereich vorzudringen, ist die sogenannte Ionen-Projektions-Lithographie (IPL). Dabei sind zwei kritische Aspekte bei der Herstellung der benötigten Stencil-Masken hervorzuheben. Zum einen ist die absolute Dicke der Membran einzustellen bei einer Dickenvariation unter 5 %, und zum anderen bedarf es einer gleichzeitigen Optimierung der mechanischen Spannung, die ihrerseits die kritischen Dimensionen der zu schreibenden Strukturen beeinflust. Die Membrandicke (wenige µm) wird beim Nasätzprozes in KOH durch einen elektrochemischen Ätzstop am wohldefinierten pn-Übergang eingestellt. Dabei sieht man einen Einflus der Bias-Spannung auf die Schichtdicke der Membranen. Durch geeignete Wahl der Dotierstoffe Arsen und Phosphor (Ausgangsmaterial: p-<100> Si-Wafer) kann auch die mechanische Spannung der Membranen unter 5 MPa gebracht werden.