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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.93: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Untersuchung der Minoritätsträgerlebensdauer an hochohmigem phosphordotiertem Silizium — •A. Frohnmeyer^1,2, B. Baumann², D. Reznik¹, H.-J. Schulze¹ und G. Wachutka² — ¹Siemens AG, ZT KM 6, D-81730 München — ²Lehrstuhl für Technische Elektrophysik, Technische Universität München, Arcisstr. 21, D-80290 München

Das statische und dynamische Verhalten hochsperrender Leistungsbauelemente wird kritisch durch prozeßbedingte und gezielt eingebrachte intrinsische Punktdefekte beeinflußt. Die Beurteilung und Vorhersage der Auswirkungen der Punktdefekte im phosphordotierten Siliziumgrundmaterial erfordert die Kenntnis deren elektrischer Eigenschaften.

Eine gezielte Auswertung der Strom-Spannungkurven von Hochleistungsbauelementen und ein Vergleich mit Simulationsrechnungen ermöglicht die Extraktion selektiver Aussagen über die Tiefenprofile der das elektrische Verhalten beeinflussenden relevanten Zentren. Die Möglichkeiten der Identifizierung und der Ermittlung der charakteristischen Eigenschaften dieser Punktdefekte (Energieniveau, Einfangquerschnitte) aus der Temperaturabhängigkeit der Ladungsträgerlebensdauer mit Hilfe des Abklingverhaltens des mikrowelleninduzierten Photostroms (µPCD) und deren Injektionsabhängigkeit (Elymat-Technik) wurden untersucht und anhand von Simlationsrechnungen geprüft.