Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 23: Poster II
HL 23.96: Poster
Wednesday, March 24, 1999, 14:00–18:00, Z
GaAs basierte resonante Tunneldioden für den Aufbau einer schnellen digitalen Logic — •J. Malindretos, A. Förster, J. Stock, M. Indlekofer und H. Lüth — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich
Die monolithische Integration von resonanten
Tunneldioden eröffnet die Möglichkeit, neuartige digitale
Schaltelemente zu entwerfen, die sich durch hohe Geschwindigkeit,
Kompaktheit, geringen Leistungsverbrauch und gesteigerte
Funktionalität auszeichnen. Das Grundelement solcher Schaltungen
besteht aus zwei resonanten Tunneldioden, die in Serie angeordnet
sind. Bei einer Spannung Vbias = 2Vpeak geht dieses System
von dem monostabilen in einen bistabilen Zustand über, wodurch
der Schaltvorgang erfolgen kann.
Zur Realisierung solcher Schaltkreise wurde ein vollständig planarer Prozeß
auf
der Basis von Ionenimplantation entwickelt, der durch den Verzicht
auf tiefe Ätzschritte eine bessere Homogenität der Proben
gewährleisten soll. Der Einfluß der Prozeßparameter auf die
Designgrößen der Schaltelemente und die Reproduzierbarkeit der
Proben sind Gegenstand der Untersuchung.