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Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.96: Poster

Wednesday, March 24, 1999, 14:00–18:00, Z

GaAs basierte resonante Tunneldioden für den Aufbau einer schnellen digitalen Logic — •J. Malindretos, A. Förster, J. Stock, M. Indlekofer und H. Lüth — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich

Die monolithische Integration von resonanten Tunneldioden eröffnet die Möglichkeit, neuartige digitale Schaltelemente zu entwerfen, die sich durch hohe Geschwindigkeit, Kompaktheit, geringen Leistungsverbrauch und gesteigerte Funktionalität auszeichnen. Das Grundelement solcher Schaltungen besteht aus zwei resonanten Tunneldioden, die in Serie angeordnet sind. Bei einer Spannung Vbias = 2Vpeak geht dieses System von dem monostabilen in einen bistabilen Zustand über, wodurch der Schaltvorgang erfolgen kann.
Zur Realisierung solcher Schaltkreise wurde ein vollständig planarer Prozeß auf der Basis von Ionenimplantation entwickelt, der durch den Verzicht auf tiefe Ätzschritte eine bessere Homogenität der Proben gewährleisten soll. Der Einfluß der Prozeßparameter auf die Designgrößen der Schaltelemente und die Reproduzierbarkeit der Proben sind Gegenstand der Untersuchung.

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