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HL: Halbleiterphysik

HL 23: Poster II

HL 23.97: Poster

Mittwoch, 24. März 1999, 14:00–18:00, Z

Herstellung und Charakterisierung von gekoppelten Silizium Quantenpunkten — •C. Single, F.E. Prins und D.P. Kern — Institut für Angewandte Physik, Universität Tübingen

Gekoppelte Silizium Quantenpunkte sind Grundbausteine

verschiedenster geplanter Einzel-Elektronen Bauelemente, z.B.

von QCA’s (quantum cellular automata). Es ist daher von

Interesse zunächst eine einfache Anordnung, bestehend aus

zwei gekoppelten Quantenpunkten, herzustellen und zu

untersuchen.
Präsentiert wird der Herstellungsprozes auf

SOI-Material mittels Elektronenstrahl-Lithographie, lift-off,

reaktivem Ionen Ätzen und Oxidation. Ein System bestehend aus

zwei gekoppelten Quantenpunkten in 100nm Abstand mit je einer

seitlichen Steuerelektrode pro Punkt und einer ausgedehnten

rückseitigen Elektrode wurde elektrisch charakterisiert.

Es konnten charakteristische Einzel-Elektronen Effekte

nachgewiesen werden. Insbesondere Coulomb Blockade in

Temperatur- und Gatespannungsabhängigkeit, Stromoszillationen

in Abhängigkeit der Gatespannungen und Coulomb-Treppen.