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HL: Halbleiterphysik

HL 24: III-V Halbleiter

HL 24.1: Vortrag

Mittwoch, 24. März 1999, 15:00–15:15, BOT

Bestimmung der Gleichgewichtskonzentration und Diffusionskonstante von Arsen-Eigenzwischengitteratomen mittels Schwefeleindiffusion in GaAs. — •R.F. Scholz¹, P. Werner¹, U. Gösele¹ und N. Engler² — ¹Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik, Weinberg 2, 06120 Halle — ²Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, Friedemann Bach Platz 6, 06108 Halle

Galliumarsenid - ein Verbindungshalbleiter - stellt nach Silizium das zweitverbreitetste Substratmaterial in der Halbleitertechnologie dar. Für das Arsenuntergitter gibt es zur Zeit nur sehr wenige Diffusionsdaten, die aber mit der wachsenden Bedeutung von Kohlenstoff als Dotierstoff auf dem Arsenuntergitter dringend benötigt werden.

Schwefel ist in GaAs auf dem Arsenuntergitter gelöst. Bei der Eindiffusion erhält man starke Nichtgleichgewichtsprofile, die in der Literatur schon gut untersucht wurden. Auf der Grundlage dieser Ergebnisse und theoretischer Simulationen wurden neue Schwefeleindiffusionsexperimente durchgeführt. In diesem Beitrag wird dargestellt, das man durch geeignete Wahl der experimentellen Bedingungen nicht nur den effektive Diffusionskoeffizienten der Arsen-Eigenzwischengitteratome, sondern auch den direkte Diffusionskoeffizient und die Gleichgewichts-Konzentration (Löslichkeit) der Arsen-Eigenzwischengitteratome bestimmen kann.