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HL: Halbleiterphysik

HL 24: III-V Halbleiter

HL 24.2: Talk

Wednesday, March 24, 1999, 15:15–15:30, BOT

Ex-situ spektroskopische Ellipsometrie an Low-Temperature (LT) GaAs — •Susanne Nassauer¹, B. Rheinlaender¹ und P. Kordos² — ¹Universitaet Leipzig, Fakultaet fuer Physik und Geowissenschaften, Linnestr. 5, 04103 Leipzig — ²Forschungszentrum Juelich, Zentrum fuer Ionenforschung

An MBE-gezuechteten LT-GaAs-Schichten wurden Ellipsometrie-Untersuchungen im Spektralbereich 0.75 - 4.50 eV durchgefuehrt. Zur Untersuchung des Einflusses der Zuechtungstemperatur (200 - 350 C) auf die optischen- und Bandstruktureigenschaften des Materials wurde ein Schichtmodell in zwei getrennten Energiebereichen an die gemessenen Spektren angepasst. Die gegenueber dem bei ca. 600 C gezuechtetem GaAs stark veraenderte komplexe dielektrische Funktion des LT-GaAs wurde im Spektralbereich unterhalb der Bandlueckenenergie E(0) durch Analyse von Interferenzeffekten und Absorptionsauslaeufern ermittelt. Im Bereich der kritischen Punkte E(1) und E(1)+Delta(1) wurde in der dielektrischen Funktion eine starke Verbreiterung der epsilon2-Bande bei Konstanz der Oszillatorstaerke gefunden. Die Ergebnisse weisen auf starke Stoerungen des erhalten gebliebenen GaAs-Gitters hin.