Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 24: III-V Halbleiter
HL 24.3: Talk
Wednesday, March 24, 1999, 15:30–15:45, BOT
Dielektrische Funktion von ultraduennen InAs-Schichten in GaAs — •Alexander Kasic1, H. Schmidt1, S. Nassauer1, B. Rheinlaender1 und V. Gottschalch2 — 1Universitaet Leipzig, Fakultaet fuer Physik und Geowissenschaften, Linnestr. 5, 04103 Leipzig — 2Universitaet Leipzig, Fakultaet fuer Chemie und Mineralogie, Linnestr. 5, 04103 Leipzig
Um die dielektrische Funktion von bis zu 2 Monolagen dicken,in GaAs eingebetteten InAs-Schichten zu untersuchen, wurden an Einzelschichten, Doppelschichten mit variablem Abstand und MQW-Strukturen mit unterschiedlicher GaAs-Dicke spektralellipsometrische Messungen bei Zimmertemperatur durchgefuehrt. Insbesondere im Bereich der fundamentalen Bandkante von GaAs wurden InAs-induzierte optische Uebergaenge beobachtet, die mit wachsender Dicke der InAs-Schicht nach niederen Energien verschoben sind. Unter Verwendung eines erweiterten Adachi-Ansatzes fuer die dielektrische Funktion ergaben Analysen,dass eine Wechselwirkung benachbarter Monolagen bei einem Abstand von etwa 10 nm einsetzt. Bei Verringerung des Abstands werden die InAs-induzierten Uebergaenge niederenergetisch verschoben. Ergaenzend wurden diese Uebergaenge im Temperaturbereich von 5 bis 400 K untersucht.