Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 24: III-V Halbleiter

HL 24.4: Vortrag

Mittwoch, 24. März 1999, 15:45–16:00, BOT

Untersuchung von Punktdefekten auf InAs(110) mittels dynamischer Rasterkraftmikroskopie im UHV bei tiefen Temperaturen — •Schwarz Alexander, Wolf Allers, Udo D. Schwarz und Roland Wiesendanger — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universit/ät Hamburg, Jungiusstrasse 11, 20355 Hamburg

Mit der dynamischen Rasterkraftmikroskopie ist es im Gegensatz

zum statischen Kontaktmodus möglich, Punktdefekte mit atomarer

Auflösung zu untersuchen. Anders als in der Rastertunnelmikroskopie

ist diese Methode nicht auf die elektronischen Zustände

nahe der Fermikante sensitiv, sondern auf kurz- und langreichweitige

Wechselwirkungen zwischen Spitze und Probe und liefert

daher zur Rastertunnlemikroskopie komplementäre Informationen.

Neben der van-der-Waals-Wechselwirkung und dem Überlapp der

elektronischen Wellenfunktionen können auch elektrostatische

Wechselwirkungen eine Rolle spielen.

In diesem Beitrag werden wir zeigen, daß neben der defektfreien

relaxierten InAs(110)-Oberfläche auch Fehlstellen und deren

Einfluß auf das umgebende ungestörte Gitter mit atomarer Auflösung

in mit Rastertunnelmikroskopie-Abbildungen vergleichbarer

Qualität abgebildet werden können. Desweiteren beobachten

wir einen Einfluß von Dotieratomen auf die Spitze-Probe-

Wechselwirkung. Die Messungen werden mit den unterschiedlichen

Spitze-Probe-Wechselwirkungen und mit Relaxationen der

Oberflächenatome interpretiert und mit theoretischen Rechnungen

für III-V-Halbleiter verglichen.