 |
15:00 |
HL 24.1 |
Bestimmung der Gleichgewichtskonzentration und Diffusionskonstante von Arsen-Eigenzwischengitteratomen mittels Schwefeleindiffusion in GaAs. — •R.F. Scholz, P. Werner, U. Gösele und N. Engler
|
|
|
|
15:15 |
HL 24.2 |
Ex-situ spektroskopische Ellipsometrie an Low-Temperature (LT) GaAs — •Susanne Nassauer, B. Rheinlaender und P. Kordos
|
|
|
|
15:30 |
HL 24.3 |
Dielektrische Funktion von ultraduennen InAs-Schichten in GaAs — •Alexander Kasic, H. Schmidt, S. Nassauer, B. Rheinlaender und V. Gottschalch
|
|
|
|
15:45 |
HL 24.4 |
Untersuchung von Punktdefekten auf InAs(110) mittels dynamischer Rasterkraftmikroskopie im UHV bei tiefen Temperaturen — •Schwarz Alexander, Wolf Allers, Udo D. Schwarz und Roland Wiesendanger
|
|
|
|
16:00 |
HL 24.5 |
Near-band gap CuPt order-birefringence in AlxGa1−xInP (0<x<1) — •Mathias Schubert, Tino Hofmann, Bernd Rheinländer, Ines Pietzonka, Torsten Saß, and Volker Gottschalch
|
|
|
|
16:15 |
HL 24.6 |
Orts- und zeitaufgelöste Lumineszenzuntersuchungen an III-V-Halbleiterstrukturen — •Thomas Held, Matthias Wellhöfer, Wolfram Ibach, Olaf Hollricher und Othmar Marti
|
|
|
|
16:30 |
HL 24.7 |
Intensitätsunabhängige bistabile Polarisationsdetektoren auf der Basis von geordnetem GaInP — •T. Kippenberg, J. Krauß, J. Spieler, P. Kiesel, M. Moser, E. Greger und G.H. Döhler
|
|
|
|
16:45 |
HL 24.8 |
MOVPE und Charakterisierung antimonhaltiger III-V Verbindungshalbleiter für IR-Emitter — •J. Kluth, A. Behres und K. Heime
|
|
|
|
17:00 |
HL 24.9 |
Optimierung von pin-Photodioden durch Verwendung fokussierter Ionenstrahlimplantation — •Martin Ruff, Jörg Koch, Peter Kiesel, Andreas D. Wieck und Gottfried H. Döhler
|
|
|
|
17:15 |
HL 24.10 |
Anomale Phononstrukturen im Ramanspektrum von GaP mit kontrolliertem Isotopengehalt — •F. Widulle, T. Ruf, E. Schönherr und M. Cardona
|
|
|
|
17:30 |
HL 24.11 |
Optisch Detektierte Magnetische Resonanz an AlSb/AlAs Multi-Quantenwells — •M. W. Bayerl, M. S. Brandt, M. Stutzmann, E. R. Glaser und B. R. Bennett
|
|
|
|
17:45 |
HL 24.12 |
Struktur innerer Halbleiter-Grenzflächen : Präparation durch hochselektives Ätzen und Untersuchung mittels Rasterkraftmikroskopie — •Siegfried Nau, Georg Bernatz, Rasmus Rettig und Wolfgang Stolz
|
|
|
