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HL: Halbleiterphysik

HL 25: Si/Ge

HL 25.3: Vortrag

Mittwoch, 24. März 1999, 15:30–15:45, H2

Herstellung von epitaktischen Ge/Si/CoSi₂/Si-Heterostrukturen — •S. Fray, L. Kappius, H. Bay, S. Mesters und S. Mantl — Institut für Schicht- und Ionentechnik, Forschungszentrum Jülich GmbH, D-52425 Jülich

Epitaktische Ge/Si/CoSi₂/Si-Heterostrukturen können als Grundlage für die Herstellung eines ultraschnellen vertikalen MSM-Photodetektors im infraroten Wellenlängenbereich dienen [1]. Es ist bereits gezeigt worden, dass durch Implantation und anschließende Temperung vergrabene CoSi₂-Schichten in Si(111) mit hoher kristalliner Qualität hergestellt werden können [2]. Die Epitaxie von Ge auf Si(111) ist möglich unter Einsatz von Sb als Surfactant [3]. Ge wurde epitaktisch auf Si(111) und auf Si/CoSi₂/Si-Hetero- strukturen mittels MBE aufgewachsen und das Schichtwachstum in Abhängigkeit von der Temperatur studiert. RHEED- und AFM-Aufnahmen bestätigen das Auftreten von Lagenwachstum während der Ge-Epitaxie. Die Kristallqualität wurde mit TEM und Rutherford-Backscattering untersucht. Dabei wurde das Min-Yield zu 5 % bestimmt. Die Schichtqualität ist damit ausreichend für die Herstellung eines Photodetektors. [1] M. Löken, L Kappius, S. Mantl, Ch. Buchal, Electr. Lett. 34 1027 (1998) [2] H. Trinkaus and S. Mantl, Nucl. Instr. and Meth, B80/81, 862 (1993) [3] M. Horn-von Hoegen et al., Phys.Rev.Lett. 67, 1130 (1991)