Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
HL: Halbleiterphysik
HL 25: Si/Ge
HL 25.4: Vortrag
Mittwoch, 24. März 1999, 15:45–16:00, H2
Surfactant modifizierte Epitaxie von relaxierten Ge1−xSix/Si-Filmen auf Si — •M. Kammler1, K.R. Hofmann1, A.A. AlFalou2 und M. Horn-von Hoegen3 — 1Institut für Halbleitertechnologie, Universität Hannover — 2University of Warwick — 3Institut für Festkörperphysik, Universität Hannover
Höchstfrequenzbauelementen aus verspannten GeSi Heterostrukturen werden bisher in konventioneller Technologie auf bis zu 3µm dicken relaxierten Ge1−xSix-Bufferschichten - sogenannten virtuellen Substraten - aufgewachsen. Mit Surfactant-modifizierter Epitaxie hingegen ist die vollständige Gitterfehlanpassung über ein in der Si/Ge Grenzfläche liegendes periodisches Netzwerk von Versetzungen bereits für Schichtdicken von nur 10 nm möglich. Bis zu einem Ge Anteil von x>0.6 beobachten wir diesen Wachstumsmodus mit der Entstehung des Versetzungsnetzwerkes nach Bildung einer nano-rauhen Phase. Für geringeren Ge-Anteil x<0.6 erfolgt die Gitterfehlanpassung beim Lage-für-Lage Wachstum über unkontrolliert entstehende Versetzungen, wie sie auch ohne Einsatz eines Surfactant beobachtet werden. Dieser Wechsel des Wachstumsmodus von Ge1−xSix-Filmen bei einem Ge-Anteil von x=0.6 kann mit einem einfachen Modell erklärt werden. SPALEED-Messungen der vertikalen und lateralen Gitterkonstanten während des Wachstums geben zusätzlich Aufschluß über den Relaxationsprozess.