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HL: Halbleiterphysik
HL 25: Si/Ge
HL 25.5: Talk
Wednesday, March 24, 1999, 16:00–16:15, H2
Ausdiffusionsexperimente von Zn in Si zur Bestimmung des Leerstellenanteils an der Si-Selbstdiffusion — •A. Giese1, H. Bracht1, J.T. Walton2 und N.A. Stolwijk1 — 1Institut für Metallforschung, Westfälische Wilhelms-Universität Münster, Wilhelm-Klemm-Straße 10, D–48149 Münster — 2Lawrence Berkeley National Laboratory, 1 Cyclotron Road, Berkeley, CA 94720, U.S.A.
Wir berichten über Ausdiffusionsexperimente von Zn in homogen Zn-dotiertem Si, die im Temperaturbereich von 850 ∘C bis 1207 ∘C durchgeführt wurden. Die Zn-Ausdiffusionsprofile wurden mit Hilfe der Spreading-Resistance-Analyse bestimmt. Diese Profile konnten auf der Grundlage einer gleichzeitigen Diffusion über den Verdrängungsmechanismus und den dissoziativen Mechanismus vollständig beschrieben werden. Die Modellparameter zum Verdrängungsmechanismus entsprechen den Ergebnissen aus früheren Zn-Eindiffusionsexperimenten in Si. Die Parameterwerte für die Gleichgewichtskonzentration CVeq und die Transportkapazität CVeqDV der Leerstellen (V) ergaben sich aus der theoretischen Beschreibung der experimentellen Profile. Die Analyse des Zn-Ausdiffusionsprozesses zeigt, daß dieser im wesentlichen durch den dissoziativen Diffusionsmechanismus bestimmt ist, während bei der Eindiffusion von Zn in Si der Verdrängungsmechanismus dominiert. Damit liefern unsere Ausdiffusionsexperimente wertvolle Informationen über den Leerstellenanteil im oben angegebenen Temperaturintervall.