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HL: Halbleiterphysik

HL 25: Si/Ge

HL 25.8: Vortrag

Mittwoch, 24. März 1999, 16:45–17:00, H2

Mechanische Spannungen und Abbau der Misfit-Verzerrung von Ge/Si(111) — •J. Walz¹, A. Greuer¹, G. Wedler¹, T. Hesjedal², E. Chilla² und R. Koch² — ¹Freie Universität Berlin — ²Paul Drude Institut für Festkörperelektronik, Berlin

Wir präsentieren Untersuchungen der intrinsischen Spannungen des Stranski-Krastanow-Systems Ge/Si(111) bei Depositionstemperaturen von 700 - 950 K [1]. Unterstützt von neueren TEM-Untersuchungen [2] demonstrieren die Ergebnisse, daß die Misfit-Verspannung in einem breiten Temperaturbereich durch den Einbau und die kontinuierliche Umordnung von Versetzungen in den 3D-Inseln abgebaut wird. Die Verspannungsrelaxation von Ge/Si(111) unterscheidet sich damit deutlich von Ge/Si(001) [3], bei dem die Substratoberfläche keine Gleitebene für Versetzungen ist,