Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 26: II-VI Halbleiter

HL 26.10: Talk

Wednesday, March 24, 1999, 17:15–17:30, H4

Antimondotierung von ZnSe in der MOVPE — •R. Rüland¹, H. Kalisch¹, H. Hamadeh¹, A.L. Gurskii^1,2, I. Marko², G.P. Yablonskii² und M. Heuken³ — ¹Institut für Halbleitertechnik, Lehrstuhl 1, RWTH Aachen, Templergraben 55, D-52056 Aachen — ²Institute of Physics, Belarus Acad. Sci., F. Skaryna av. 68, 220072 Minsk, Weißrussland — ³AIXTRON AG, Kackertstr. 15-17, D-52072 Aachen

Wegen der nach wie vor schwierigen p-Dotierung von ZnSe mit Stickstoff in der MOVPE wurde Antimon als alternativer Dotierstoff verwendet. Mit den metallorganischen Quellen Dimethylzinktriethylamin (DMZn(TEN)), Ditertiärbutylselen (DTBSe) und Trisdimethylaminoantimon (TDMASb) wurden Schichten von ungefähr 400 nm Dicke mit verschiedenen Sb-Gehalten auf GaAs-Substraten bei einer Temperatur von 330^∘C abgeschieden. Danach wurden Photolumineszenzmessungen zur Bestimmung der Schichtqualität durchgeführt. Die Spektren zeigen außer exzitonischen Emissionen und geringer tiefer Störstellenlumineszenz auch Übergänge im Donator-Akzeptor-Bereich, was auf den Einbau von Akzeptoren schließen läßt. Die Auswertung der Daten ergibt eine Aktivierungsenergie des Sb-Akzeptors von 55±5 meV. Dieser Wert liegt deutlich unter dem Wert von Stickstoff, der in der Literatur mit 110 meV angegeben wird [1]. Außerdem wurden I-V-Messungen an pn-Übergängen durchgeführt, die mit dieser Quelle realisiert wurden. Diese zeigen einen diodenartigen Verlauf und schwache (blaue) Elektrolumineszenz in Vorwärtsrichtung, was auf p-Leitung der antimondotierten Schichten deutet.

[1] P.J. Dean, W. Stutius, G.F. Neumeark, B.J. Fitzpatrick, R.N. Bhargava, Phys. Rev. B 27 (1983) 2419