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HL: Halbleiterphysik

HL 26: II-VI Halbleiter

HL 26.4: Vortrag

Mittwoch, 24. März 1999, 15:45–16:00, H4

Strukturelle Charakterisierung von Gruppe-III-Nitridschichten mit Hilfe von reziproken Gitterkarten — •Verena Kirchner, Heidrun Heinke, Sven Einfeldt und Detlef Hommel — Institut für Festkörperphysik - Arbeitsgruppe Halbleiterepitaxie, Kufsteiner Str. NW1, 28359 Bremen

Das Wachstum von Gruppe-III-Nitridschichten auf (0001) Al₂O₃ mittels Molekularstrahlepitaxie resultiert aufgrund der großen Gitterfehlanpassung in kristallin stark gestörten Heterostrukturen mit ausgeprägter Mosaikstruktur. Gerade bei defektreichen Schichten ist die Aufnahme von reziproken Gitterkarten mittels der hochauflösenden Röntgenbeugung hilfreich, um Aussagen über die Realstruktur des Kristalls treffen zu können. Hierbei sind sowohl die Lage des Punktes im reziproken Raum als auch dessen Orientierung und Form von Bedeutung. Reziproke Gitterkarten werden ausgenutzt, um die vorliegenden Verspannungen und Komponentkonzentrationen in ternären InGaN- und AlGaN-Schichten zu ermitteln. Durch die genaue Untersuchung der reziproken Gitterpunkte für Reflexe mit symmetrischer und asymmetrischer Beugungsgeometrie können außerdem Informationen über die Versetzungsstrukturen und -dichten bzw. die Verkippung (tilt) und Verdrehung (twist) der Mosaikblöcke gewonnen werden.