Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 26: II-VI Halbleiter

HL 26.6: Talk

Wednesday, March 24, 1999, 16:15–16:30, H4

Bestimmung der Stapelfehlerenergie von BeTe und Defektcharakterisierung in Be-haltigen II-VI Halbleiter-Heterostrukturen. — •M. Reiss¹, T. Walter¹, D. Gerthsen¹ und A. Waag² — ¹Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Universität Karlsruhe (TH) Kaiserstraße 12, D-76128 Karlsruhe — ²Physikalisches Institut, Universität Würzburg, Am Hubland, D-97074 Würzburg

Berylliumchalkogenide eignen sich wegen ihren hohen Bandlückenenergien als Ausgangsmaterial für optoelektronische Bauelemente im
blau/grünen Spektralbereich. Die Voraussetzung für die Herstellung optischer Bauelemente sind epitaktische Schichten mit niedrigen Defektdichten, die in Be-haltigen Heterostrukturen signifikant reduziert werden konnten.

Eine für die Defektentstehung wichtige Größe ist die Energie intrinsischer Stapelfehler. Die Stapelfehlerenergie von BeTe wurde deshalb mit der Transmissionselektronenmikroskopie durch die Messung der Aufspaltungsweiten von Versetzungen in einer 2µm dicken, relaxierten BeTe-Schicht bestimmt. Diese Schicht wurde mit der Molekularstrahlepitaxie auf einem GaAs(001) Substrat aufgewachsen. Die Stapelfehlerenergie von 23±5 mJ/m² liegt deutlich über den Stapelfehlerenergien von ZnSe und ZnTe. Weiterhin wurde die Defektentstehung in unterschiedlich gewachsenen BeTe und ZnSe Pufferschichten auf GaAs(001) Substraten untersucht. Sowohl die Defektdichte wie auch die Defekttypen zeigen eine starke Abhängigkeit vom Wachstumsstart auf dem GaAs(001) Substrat. Eine BeTe-Pufferschicht an der GaAs-Grenzfläche führt zu stark reduzierten Defektdichten in der darauf aufgewachsenen BeMgZnSe-Schicht. Dieser Befund wird mit der vergleichweise hohen Stapelfehlerenergie von BeTe in Zusammenhang gebracht.