Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 26: II-VI Halbleiter
HL 26.7: Talk
Wednesday, March 24, 1999, 16:30–16:45, H4
Strukturelle und chemische Analysen an CdSe/ZnSe-Quantenpunktstrukturen — •N. Peranio, A. Rosenauer und D. Gerthsen — Universität Karlsruhe(TH), Laboratorium für Elektronenmikroskopie, Kaiserstraße 12, 76128 Karlsruhe
In diesem Beitrag werden CdSe-Schichten mit einer Dicke von 0.5, 1, 2 und 3 Monolagen (ML) untersucht. Diese Schichten wurden pseudomorph unter Verwendung eines 50 nm dicken ZnSe buffers mittels migration enhanced epitaxy (MEE) [1] auf GaAs(001) Substraten aufgewachsen und mit 10 nm ZnSe abgedeckt. Als Untersuchungsmethode wird hochauflösende und konventionelle Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) eingesetzt. Eine lokale Konzentrationsbestimmung erfolgt an hochauflösenden 3-Strahl TEM-Aufnahmen mit der Methode CELFA (composition evaluation by lattice fringe analysis [2]).
Plan-view TEM-Aufnahmen zeigen ab einer nominellen Schichtdicke von 1 ML große Inseln mit einem Durchmesser von 10-100 nm und einer Dichte von ca. 100 µm−2. Zwischen diesen großen Inseln finden wir ab 2 ML Schichtdicke kleinere Strukturen mit einem Durchmesser ≤ 10 nm und einer Dichte von 4600 µm−2. Die mit CELFA gemessenen Cd-Konzentrationsprofile zeigen die Existenz von Kompositionsschwankungen innerhalb der Cd(Zn)Se Schichten sowie eine Verbreiterung auf 9 ML. Als Erklärung wird eine überhöhte Leerstellenkonzentration des Metalluntergitters im Anfangsstadium des Wachstums diskutiert. Daraus resultieren Diffusionslängen, die um eine Größenordnung über den aus Literaturdaten zu erwartenden Werten liegen.
[1] S.V. Ivanov und S.V. Sorokin, Ioffe Institut, St. Petersburg
[2] A. Rosenauer, U. Fischer, D. Gerthsen, A. Förster, Ultramicroscopy 72, 121 (1998)