Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 26: II-VI Halbleiter
HL 26.8: Vortrag
Mittwoch, 24. März 1999, 16:45–17:00, H4
Lokalisierte exzitonische Prozesse in (Zn,Cd)Se Strukturen — •M. Straßburg — Institut f. Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin
Durch die Lokalisierung von Ladungsträgern an Inseln,
Kompositionsfluktuationen und Grenzflächenrauhigkeiten
ergeben sich neuartige elektronische Eigenschaften, aus denen
ein breites Anwendungspotential für opto–elektronische und
elektronische Bauelemente (z.B. Laserdiode,
Einzel–Elektron–Transistor) resultiert. Mit Hilfe von
Monolagen- und Submonolagen–Deposition können lokalisierte
exzitonische Komplexe, wie Exzitonen und Biexzitonen, in
II–VI Breitband–Halbleiterstrukturen exakt präpariert
werden.
Aufgrund des starken Confinements besitzen die lokalisierten,
exzitonischen Komplexe große Bindungsenergien und hohe
Oszilatorstärken. Sie sind unter hohen Anregungsdichten
stabil. Es wird gezeigt, daß die in diesen Strukturen
auftretenden Verstärkungsmechanismen durch exzitonische
Prozesse generiert werden und diese einen hohen biexzitonischen
Gain von 150 cm−1 besitzen. In kurzperiodigen
Übergitterstrukturen tritt in Abhängigkeit von der
Barrierendicke ein Wechsel der Polarisation der Kantenemission
auf, was durch eine Veränderung der Lokalisierungszentren
bewirkt wird. Weitere Erkenntnisse über die Art der
Lokalisierung werden durch Anregungsspektroskopie und
magneto–optische Untersuchungen ermittelt.