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HL: Halbleiterphysik

HL 26: II-VI Halbleiter

HL 26.9: Vortrag

Mittwoch, 24. März 1999, 17:00–17:15, H4

Neue II-VI Materialkonzepte und deren Anwendung — •Matthias Straßburg, Oliver Schulz, Udo W. Pohl und Dieter Bimberg — TU-Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin

II-VI Halbleiterstrukturen sind die momentan einzig verfügbaren

Laser für den blaugrünen Spektralbereich. Sie werden

homoepitaktisch auf GaAs abgeschieden, so daß die aktive

ZnCdSe-Schicht stark (ca. 3 Prozent) verspannt ist. Die dadurch

zur Zeit auf ca. 400 Stunden begrenzte Lebensdauer derartiger

Laser ist noch nicht ausreichend für kommerzielle Anwendungen.

Durch die Verwendung von InP-Substraten können komplett

gitterangepaßte Laserstrukturen hergestellt werden. Hierzu

eignet sich das Zn1-x-yCdxMgySe-System, welches eine Variation

der Energielücke von 2.2eV bis 3.5eV ermöglicht. Mittels MOCVD

auf InP hergestellte, gitterangepaßte ZnMgSe- und ZnCdSe-

Schichten konnten optimiert werden. Für die Prozessierung

lateral indexgeführter Laser stellt die Möglichkeit der

selektiven Diffusionserhöhung von Cd einen weiteren Vorteil im

Vergleich zum thermisch stabileren Zn(Mg,S)Se-System dar.