Münster 1999 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 29: Ultrakurzzeitdynamik I

HL 29.5: Talk

Thursday, March 25, 1999, 11:30–11:45, H2

Lebensdauer heißer Elektronen in GaAs — •T. Ohms, J. Beesley, A. Lohoff, R. Porath, M. Scharte und M. Aeschlimann — Institut für Laser- und Plasmaphysik, Universität-GH Essen

Untersucht wurde die Verweildauer von Elektronen in optisch angeregten Zuständen im Halbleiter mit Hilfe zeitaufgelöster 2- Photonen- Photoemission. Diese Technik erlaubt den Zugang zu normalerweise unbesetzten Zuständen weit über der thermischen Verteilung mittels eines pump and probe- Verfahrens. Dabei lassen die photoemittierten Elektronen direkten Rückschluss auf den Zwischenzustand zu, den sie im 2PPE- Prozess besetzt haben. Dies erlaubt die Beobachtung der Elektronen-Relaxation unter verschiedenen Anregungsbedingungen. Mögliche Einflüsse verschiedener Effekte auf

die Gewichtung der Zerfallskanäle werden diskutiert. Ein Vergleich mit neueren, aus rein optischen Methoden gewonnenen, Daten ergänzt sich zu einem erweiterten Gesamtbild der Relaxation von Leitungsbandzuständen im Halbleiter.