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HL: Halbleiterphysik

HL 29: Ultrakurzzeitdynamik I

HL 29.9: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 12:30–12:45, H2

Dephasieren von quasi-zweidimensionalen Biexzitonen — •Wolfgang Langbein¹ und Jørn M. Hvam² — ¹Institut für Experimentelle Physik EIIb, Universität Dortmund, Otto-Hahn Str.4, 44221 Dortmund — ²Mikroelektronik Centret, DTU Bldg. 345 east, DK-2800 Lyngby, Denmark

Das Dephasieren der biexzitonischen Zweiphotonenresonanz von energetisch homogen verbreiterten Exzitonen in eine 25nm GaAs/Al_0.3Ga_0.7As Einzelquantenfilm wird in Abhängigkeit von der Gittertemperatur und der Exzitonendichte mit zeitintegriertem, spektral aufgelöstem Vier-Wellen-Mischen untersucht. Bei kreuzpolarisierter Anregung können die exzitonischen und biexzitonischen Dephasierungsraten aus dem Zerfall des Signals an der Biexzitonenresona für positive bzw. negative Verzögerungszeiten bestimmt werden Das Verhältnis zwischen den Dephasierungsraten von Biexzitonen und Exzitonen ist etwa zwei für thermische Energie k_BT größer als die Biexzitonenbindungenergie von 1.1 meV. Dies ist zu erwarten, da hier das Dephasieren mit der Dissoziation des Biexzitons einhergeht und daher die Bindung keine wesentliche Rolle spielt. Bei kleineren Temperaturen fällt das Verhältni bis unterhalb von eins. Dies zeigt, daß das biexzitonische Dephasieren bei hohen Temperaturen von der Dissoziation dominiert wird, währ die intrinsische Dephasierungszeit bei kleinen Temperaturen länger als die von Exzitonen sein kann, was über die fehle Spinstreuung erklärt werden kann.