HL 2: Photovoltaik I
Montag, 22. März 1999, 10:30–13:15, H1
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10:30 |
HL 2.1 |
Optische und elektrische Eigenschaften mikrostrukturierter a-Si Dünnschichtsolarzellen — •C. Eisele, C.E. Nebel und M. Stutzmann
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10:45 |
HL 2.2 |
Transport in a-Si/c-Si Heterostruktursolarzellen — •N. Jensen, U. Rau, R. M. Hausner, S. Uppal, R. Dassow, L. Oberbeck, J. R. Köhler, R. B. Bergmann und J. H. Werner
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11:00 |
HL 2.3 |
Grain boundary contacting of multicrystalline silicon solar cells — •Michael Radike and Johann Summhammer
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11:15 |
HL 2.4 |
Ferminiveauabhängige Defektbildung in Chalkopyrithalbleitern — •A. Klein und W. Jaegermann
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11:30 |
HL 2.5 |
Oberfl"achenbehandlung von CuGaSe2 Absorbern mit InGaSe zur Untersuchung des Einflusses von Gitterfehlanpassungen an der Absorberoberfl"ache — •T. Dullweber, M. Contreras, R. Noufi, and H.W. Schock
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11:45 |
HL 2.6 |
Solarzellen mit gro"sem Bandabstand auf der Basis von
Cu(In,Ga)(S,Se)2 und CuGaSe2 - Vergleich der photovoltaischen und der elektrischen Eigenschaften des Hetero"ubergangs — •A. Jasenek, U. Rau, V. Nadenau, T. Magorian-Friedlmeier, and H. W. Schock
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12:00 |
HL 2.7 |
Oberflächenmodifikation von CuInGaSe2 durch Schwefel — •I. Kötschau, A. Jasenek, U. Rau und H. W. Schock
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12:15 |
HL 2.8 |
Ausnutzung der persistenten Photoleitung zur Aufklärung des elektrischen Transports in Cu(In,Ga)Se2-basierten Solarzellen — •Th. Meyer, F. Engelhardt, J. Parisi und U. Rau
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12:30 |
HL 2.9 |
Untersuchung des Einflusses von Defekten (Korngrenzen, Versetzungen, Ausscheidungen) auf das elektrische Verhalten multikristalliner Silicium Solarzellen mittels numerischer Simulation — •L. Mittelstädt, A. Metz und R. Hezel
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12:45 |
HL 2.10 |
Simulation von im Dunkeln und unter Beleuchtung gemes-
senen Kapazitäts-Spannungs-Kurven von Metall/Oxid/p-
Silicium-Kondensatoren — •A. Bierhals, A.G. Aberle und R. Hezel
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13:00 |
HL 2.11 |
Einfluss der Oberflaechenbehandlung auf die Eigenschaften von a-Si/c-Si Heterosolarzellen — •Dietmar Borchert, Reza Hussein, Guenter Grabosch und Wolfgang R. Fahrner
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