Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 3: GaN I
HL 3.10: Talk
Monday, March 22, 1999, 12:45–13:00, H2
Einfluß der MBE-Wachstumsparameter auf die Morphologie von AlN-Schichten — •Lars Steinke und Dirk G. Ebling — Freiburger Materialforschungszentrum, Stefan-Meier-Str. 21, 79104 Freiburg
Aluminiumnitrid zeigt durch eine Bandlücke von 6.2 eV großes Potential für die Halbleiteroptoelektronik im tiefen UV, z.B. für sonnenblinde UV-Detektoren.
Mittels Plasma-aktivierter MBE wurden AlN-Schichten auf Al2O3 und SiC gezüchtet. Untersucht wurden die Einflüsse von Wachstumsparametern und Substrat auf die Morphologie der Epitaxieschichten und deren Wachstumsraten. Insbesondere wurde eine Korrellation zwischen den morphologischen Ergebnissen aus der Röntgenbeugung und aus Oberflächenuntersuchungen im AFM festgestellt.
Die besten Werte für Röntgenhalbwertsbreiten liegen bei 170 arcsec, für die RMS Oberflächenrauhigkeit im AFM bei deutlich unter 1 nm.