Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 3: GaN I
HL 3.11: Talk
Monday, March 22, 1999, 13:00–13:15, H2
AlGaN basierende Photoleiter als schmalbandige UV-Detektoren — •Armin Dobner, Uwe Karrer, Oliver Ambacher und Martin Stutzmann — Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, 85748 Garching
Eine wichtige Anwendung der Gruppe-III-Nitride sind UV-Detektoren,
die man beispielsweise zur Regelung von Verbrennungsprozessen
einsetzen kann. Hierbei wird oftmals ein Bandpaß benötigt, um konkrete
UV-Linien hintergrundfrei zu detektieren. Die notwendige Struktur kann mittels
eines Photoleiters realisiert werden.
Dazu wurden mit MBE auf c-plane Saphir Heterostrukturen gewachsen.
Eine Al0,4Ga0,6N Schicht dient als Filter für Wellenlängen
unterhalb des Detektionsfensters. Die Detektionsschicht besteht aus
Al0,3Ga0,7N.
Die Detektoren zeigen im Maximum eine Empfindlichkeit von 10A/W,
die zu grösseren Wellenlängen hin um mehr als 6 Grössenordnungen
abfällt.
Die Abhängigkeit der Eigenschaften der Detektoren von der
Polarität des GaN/AlGaN wird diskutiert.