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HL: Halbleiterphysik

HL 3: GaN I

HL 3.5: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 11:30–11:45, H2

MBE-Wachstum von AlGaN/GaN Heterostrukturen für Feldeffekttransistoren — •Roman Dimitrov¹, Lars Wittmer¹, Andrea Mitchell¹, Oliver Ambacher¹, Martin Stutzmann¹, Jörg Hilsenbeck² und Walter Rieger² — ¹Walter Schottky Institut, Technische Universität München, Am Coulombwall, 85748 Garching — ²Ferdinand-Braun-Institut, Rudower Chaussee 5, 12489 Berlin

Die hohen Bandoffsets und Durchbruchfeldstärke, die relativ einfache Realisierung von Heterostrukturen sowie die hohe Grenzgeschwindigkeit der Elektronen sind einige der Vorteile der Nitride und erklären das Interesse für Anwendungen in der Leistungselektronik. Wesentlicher Unterschied gegenüber den gängigen III-V Halbleitern ist die Wurtzitstruktur in diesem Materialsystem und die daraus resultierende spontane und piezoelektrische Polarisation. Diese ermöglichen die Herstellung von sogenannten normalen und invertierten Feldeffekttransistoren auch ohne die Notwendigkeit einer Modulationsdotierung. In dieser Studie wurden MBE-gewachsene N- und Ga-face AlGaN/GaN Heterostrukturen untersucht. Anhand von Hall-, C-V- und Röntgendiffraktionmessungen wird der Einfluß der spontanen und piezoelektrischen Polarisation auf die Eigenschaften der Transistorstrukturen diskutiert. In Zusammenarbeit mit dem Ferdinand-Braun-Institut für Höchstfrequenztechnik entstandene Ergebnisse (850 mA/mm, 150 mS/mm bei einer Gatelänge von 1 µm) an prozessierten Heterostrukturen unterstreichen die hervorragende Eignung der Nitride für die Herstellung von Feldeffekttransistoren.