Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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Surfactants und Diffusion auf GaN (0001) Oberflächen — •Tosja Zywietz — Fritz-Haber-Institut, Faradayweg 4-6, 14195 Berlin

Für ein besseres Verständnis der Wachstumsphänomene der Gruppe-

III-Nitride wurden Dichte-Funktional-Rechnungen zu Oberflächenenergien,

Surfactants und den Diffusionsprozessen von Adatomen auf den technologisch

relevanten GaN Oberflächen durchgeführt. Es wurde eine ungewöhnlich hohe

Aktivität der GaN Oberflächen gegenüber der Adsorption von Fremdatomen

(z.B. Sauerstoff) oder oberflächenaktiven Spezies (,,Surfactants”)

gefunden. Es wird gezeigt, daß In ein besonders attraktiver Surfactant für

das MBE-Wachstum von hexagonalem GaN ist. In reduziert nicht nur die

Oberflächenenergie signifikant sondern beeinflußt entscheidend die

Diffusionseigenschaften von Ga und N Adatomen. Neben der Diffusion auf den

In-terminierten (0001) Oberflächen wurden auch die relevanten

Austauschprozesse (Ga-In, N-In) untersucht. Wir disukutieren die Konsequenzen

für das Wachstum von GaN und vergleichen die Ergebnisse mit den

neuesten experimentellen Arbeiten

[1] .

[1] F. Widmann et al., Appl. Phys. Lett. 73, 2642 (1998).