Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 30: Epitaxie

HL 30.6: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 11:45–12:00, H3

Einfluss der Oberflächenrekonstruktionen auf das MOVPE-Wachstum von GaAs — •M. Pristovsek, B. Han, T. Wehnert, E. Steimetz, J.-T. Zettler und W. Richter — PN6-1, Institut für Festkörperphysik, TU-Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin

In-situ Reflexions-Anisotropie Spektroskopie (RAS) Untersuchungen von GaAs-Oberflächen wurden während des MOVPE-Prozesses in einem weiten Parameterbereich mit dem Ziel durchgeführt, Daten wie Rekonstruktionen, Aktivierungsenergien, Reaktionsordnungen und Diffussionslängen zu bestimmen.

Die statische arsenstabilisierte (001) Oberfläche ist bis 900 K zu großen Teilen von einer c(4x4) Rekonstruktion bedeckt. Bei höheren Temperaturen steigen die Anteile von β 2(2x4) und noch galliumreicheren Rekonstruktionen wie (nx6) oder (4x2) an. Verkippte Proben verstärken die Arsendesorption und vergrößern die Anteile arsenärmerer Rekonstruktionen. Die Vermutung, dass das Arsen hauptsächlich von den Stufen desorbiert, konnte durch eine Bestimmung der Reaktionsordnung mit zeitaufgelösten Arsendesorptionmessungen bestätigt werden.

Der Übergang zu arsenärmeren Rekonstruktionen hat einen starken Einfluss auf die Diffussionslänge, die aus Stufenbündelungs-, in-situ RAS- und Röntgenbeugungsuntersuchungen bestimmt wurde. Die Diffussionlänge ist auf arsenärmeren Rekonstruktionen kürzer, folglich wurde oberhalb von 900 K eine Abnahme der Diffussionslänge beobachtet.