Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 30: Epitaxie

HL 30.8: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 12:15–12:30, H3

Charakterisierung von ZnSe basierenden Halbleiterstrukturen mit Hilfe der hochauflösenden Röntgenbeugung — •V. Gross-mann, H. Wenisch, H. Heinke und D. Hommel — Universität Bremen, Kufsteiner Straße, 28359 Bremen

Die strukturelle Qualität von homoepitaktisch hergestellten Halbleiterstrukturen auf ZnSe-Basis ist entscheidend von der verwendeten Substratpräparation abhängig. In diesem Beitrag soll gezeigt werden, daß eine wesentliche Verbesserung der kristallinen Perfektion von epitaktisch abgeschiedenen Schichtstrukturen mit Hilfe einer in situ Wasserstoffreinigung (HR) des ZnSe-Substrates vor Beginn des MBE-Wachstums erreicht wurde. Dazu werden ähnliche Strukturen, die auf GaAs-Substraten sowie auf ZnSe-Substraten mit und ohne HR abgeschieden wurden, verglichen. Die Proben wurden mit der Molekularstrahlepitaxie hergestellt und mit der hochauflösenden Röntgenbeugung charakterisiert. Auffällige Unterschiede zeigten sich bereits in den Verspannungszuständen, wobei pseudomorphes Wachstum auf ZnSe-Substraten ohne HR nur schwer zu realisieren war. Zur weiteren strukturellen Charakterisierung wurden triple axis Rockingkurven durch die (004) reziproken Gitterpunkte der Schichten und der Substrate aufgenommen. Ein Vergleich dieser Rockingkurven zwischen homo- und heteroepitaktisch hergestellten Strukturen zeigt, daß die hohe kristalline Perfektion von heteroepitaktischen Schichten momentan durch die Homoepitaxie auf ZnSe noch nicht erreicht wird.