DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 31: Halbleiterlaser I

HL 31.1: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 10:30–10:45, H4

AlxGa1−xAs - Oxidaperturen in Halbleiterlaserdioden für den roten Spektralbereich — •S. Schmid, J. Schwarz, W. Wagner, R. Butendeich und H. Schweizer — Universität Stuttgart

Eine Möglichkeit, hohe Stromdichten in einem begrenzten Bereich des laseraktiven Halbleiter-Materials zu erreichen, ist die gezielte laterale Naßoxidation von dünnen AlxGa1−xAs - Schichten nahe der aktiven Zone. Ein Vorteil ist dabei neben der Lichtführung, daß an der Oberfläche großflächige Kontakte benutzt werden können und der Strom sich darunter nur wenig aufspreizt.

Um einen reproduzierbaren und vorhersehbaren Oxidationsprozeß zu erhalten, wurde der Einfluß der Prozeßparameter und der Probenstruktur auf diesen untersucht. Bei Prozeßtemperaturen um 400oC wurden mit etwa 5% Genauigkeit reproduzierbare Oxidationsweiten erreicht.
Theoretische Modelle für die Kinetik des Oxidationsprozesses wurden mit den experimentellen Ergebnissen verglichen und bewertet.

Mit dieser Technologie haben wir lateral oxidierte Breitstreifenlaser und andere Lasertypen hergestellt. An ihnen wurden die Auswirkungen der Oxidapertur auf Schwellstromdichte, spezifischen Widerstand, Abstrahlcharakteristik und andere Bauteileigenschaften im Vergleich zu anderen Laserstrukturen betrachtet.

100% | Mobil-Ansicht | English Version | Kontakt/Impressum/Datenschutz
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 1999 > Münster