Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 31: Halbleiterlaser I
HL 31.10: Talk
Thursday, March 25, 1999, 12:45–13:00, H4
Antimonhaltige Typ I und Typ II Halbleiterlaser für den 2 µm Bereich — •T. Bleuel, J. Koeth, M. Brockhaus und A. Forchel — Technische Physik, Am Hubland, D-97074 Würzburg
Laser im Wellenlängenbereich um 2 µm finden viele Anwendungen, wie z.B. Gassensorik und Molekülspektroskopie. Mit antimonhaltigen Verbindungshalbleitern kann man in diesem Bereich Quantenfilmlaser sowohl mit Typ I als auch Typ II Bandstruktur herstellen.
Durch Molekularstrahl-Epitaxie mit Antimon aus einer Feststoffquelle wurden seperate confinement heterostructure (SCH) Laser auf (100)-GaSb Substrat gewachsen. Eine 0.6 µm weite aktive Zone befindet sich zwischen jeweils 1.7 µm dicken äußeren Wellenführungsschichten, die auf das GaSb Substrat gitterangepaßt sind. Die aktive Zone besteht zum einen aus einem Typ I GaInSb Quantenfilm mit GaSb Barriere, und zum anderen aus dem räumlich indirekten Typ II GaInSbAs Quantenfilm mit AlGaAsSb Barriere.
Aus den Laserstrukturen wurden 100 µm breite und 700 µm lange Breitstreifenlaser hergestellt. Die Laseremission der Typ I und der Typ II Laser liegt bei Raumtemperatur zwischen 2 µm und 2.1 µm mit einer Schwellstromdichte um 350 A/cm2. Es werden die Kenndaten und Eigenschaften dieser beiden Laserstrukturen gezeigt und miteinander verglichen.