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HL: Halbleiterphysik
HL 31: Halbleiterlaser I
HL 31.1: Vortrag
Donnerstag, 25. März 1999, 10:30–10:45, H4
AlxGa1−xAs - Oxidaperturen in Halbleiterlaserdioden für den roten Spektralbereich — •S. Schmid, J. Schwarz, W. Wagner, R. Butendeich und H. Schweizer — Universität Stuttgart
Eine Möglichkeit, hohe Stromdichten in einem begrenzten Bereich des laseraktiven Halbleiter-Materials zu erreichen, ist die gezielte laterale Naßoxidation von dünnen AlxGa1−xAs - Schichten nahe der aktiven Zone. Ein Vorteil ist dabei neben der Lichtführung, daß an der Oberfläche großflächige Kontakte benutzt werden können und der Strom sich darunter nur wenig aufspreizt.
Um einen reproduzierbaren und vorhersehbaren Oxidationsprozeß zu
erhalten, wurde der Einfluß der Prozeßparameter und der
Probenstruktur auf diesen untersucht. Bei Prozeßtemperaturen um
400oC wurden mit etwa 5% Genauigkeit reproduzierbare Oxidationsweiten
erreicht.
Theoretische Modelle für die Kinetik des Oxidationsprozesses wurden
mit den experimentellen Ergebnissen verglichen und bewertet.
Mit dieser Technologie haben wir lateral oxidierte Breitstreifenlaser und andere Lasertypen hergestellt. An ihnen wurden die Auswirkungen der Oxidapertur auf Schwellstromdichte, spezifischen Widerstand, Abstrahlcharakteristik und andere Bauteileigenschaften im Vergleich zu anderen Laserstrukturen betrachtet.