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HL: Halbleiterphysik

HL 31: Halbleiterlaser I

HL 31.7: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 12:00–12:15, H4

Laterale Metallgitter - ein vielseitig einsetzbares Konzept zur Herstellung von verstärkungsgekoppelten DFB Lasern — •Thomas Happ¹, Frank Schäfer¹, Stephan Harms¹, Jürgen Hofmann¹, Martin Kamp¹, Johann-Peter Reithmaier¹, Alfred Forchel¹, Daniel Rondi², Jean-Lou Guyaux², Eddy Chirlias², Jean Ricciardi², Jean-Charles Renaud² und Sebastian Lourdudoss³ — ¹Technische Physik, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg — ²Thomson-CSF/LCR, Domaine de Corbeville, 91404 Orsay, France — ³Department of Electronics, KTH, Electrum, 16440 Kista, Sweden

Das Konzept lateral neben dem Rippenwellenleiter angeordneter Metallgitter erlaubt die Fabrikation von verstärkungsgekoppelten DFB Lasern ohne aufwendige Überwachsschritte. Durch den Überlapp des evaneszenten Wellenfeldes mit dem Metallgitter ergibt sich eine komplexe Kopplung, welche über die relative Lage der Gitter zum Wellenleiter einstellbar ist. Zur Herstellung wird zunächst der Rippenwellenleiter durch optische Lithographie definiert und mit einem dem jeweiligen Materialsystem angepaßten Prozeß in den Halbleiter geätzt. Die Gitter 1. Ordnung werden mittels hochauflösender Elektronenstrahllithographie auf PMMA belichtet und durch einen Lift-Off Prozeß auf das aufgedampfte Metall übertragen.
Diese Methode wird für GaAs/AlGaAs (800 nm Emmissionswellenlänge), InGaAs/AlGaAs (980 nm), InGaAsP/GaAs (980 nm) sowie InGaAsP/InP (1550 nm) Laserstrukturen demonstriert und liefert stabile monomodige Emmission mit hoher Seitenmodenunterdrückung.