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HL: Halbleiterphysik

HL 31: Halbleiterlaser I

HL 31.8: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 12:15–12:30, H4

Untersuchung von verstärkungsgekoppelten DFB-Lasern basierend auf Quantendots- bzw. eines Quantenfilms als aktive Schicht — •Jürgen Hofmann, Markus Schmitt, Martin Kamp, Frank Schäfer, Johann Peter Reithmaier und Alfred Forchel — Technische Physik, Universität Wüerzburg

Verstärkungsgekoppelte DFB-Laser werden auf MBE gewachsenen InGaAs/AlGaAs Laserstrukturen hergestellt. Dabei werden als aktive Schicht selbstorganisierte Quantendots oder ein Quantenfilm verwendet. Die Laserstege werden optisch, die Gitter mit Elektronenstrahllithographie in PMMA definiert. Mittels Lift-Off-Technik wird ein Chromgitter an der Seite des Steges aufgebracht. Die Emissionswellenlänge läßt sich über die Gitterperiode (150nm) einstellen. Die DFB-Laser zeichnen sich durch ihre guten Eigenschaften aus: hohe Seitenmodenunterdrückung (größer 40 dB), niedrige Schwellen, hohe Effizienzen und stabile monomodige Emission im cw Betrieb (bis Ausgangsleistungen über 10 mW).