Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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HL: Halbleiterphysik
HL 33: Bauelemente
HL 33.1: Vortrag
Donnerstag, 25. März 1999, 16:00–16:15, H1
Meßtechnische Charakterisierung von MOS-Kondensatoren und -Transistoren mit organischen Materialien — •S. Scheinert1, S. Pohlmann1, G. Paasch2, H.-H. Hörhold3 und R. Stockmann3 — 1Institut für Festkörperelektronik, TU Ilmenau, D-98684 Ilmenau — 2Institut für Festkörper- und Werkstofforschung Dresden, Postfach 270016, D-01171 Dresden — 3Institut für Org. Chemie u. Makromol. Chemie, FSU Jena, D-07743 Jena
Für die Herstellung von Bauelementen mit organischen Materialien als aktiver Substanz wurde ein Verfahren zur Variation der Leitfähigkeit des verwendeten löslichen PPV durch Dotieren mit Jod entwickelt. Mit der Herstellung von MOS-Strukturen konnte nachgewiesen werden, daß sich in dem Material ein Feldeffekt erzeugen läßt. Durch Variation der Jodkonzentration ist die Dotierung einstellbar. Gemessene CV-Kurven an MOS-Kondensatoren bestätigen die p-Leitfähigkeit des organischen Materials. Der Wert der Oxidkapazität wird in Anreicherung nur bei Frequenzen kleiner 400Hz erreicht, was auf hohe Relaxationszeiten hindeutet. Die aus der Minimalkapazität mit konventionellen Halbleitergleichungen berechneten Werte der Dotierung lagen im Bereich von 1016 ... 1018cm−3. Die Ausbildung einer Inversionsschicht konnte auch bei quasistatischer Messung nicht nachgewiesen werden. Hergestellte Feldeffekttransistoren zeigen das typische Transistorverhalten. Abgeschätzte Beweglichkeiten lagen bei ca. 2· 10−4cm2/Vs. Die Ursachen der bei der Messung aufgetretenen Hysteresen konnten noch nicht geklärt werden.