Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 33: Bauelemente
HL 33.10: Talk
Thursday, March 25, 1999, 18:15–18:30, H1
Wachstum von SiC Volumenkristallen nahe am thermischen Gleichgewicht — •Norbert Schulze1, Donovan L. Barrett1, Gerhard Pensl1, Stefan Rohmfeld2 und Martin Hundhausen2 — 1Inst. f. Angewandte Physik, Univ. Erlangen-Nürnberg, Staudtstr.7 / A3, 91058 Erlangen — 2Inst. f. Technische Physik, Univ. Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen
4H-/ 6H- und 15-R Siliciumkarbid wurde mittels modifiziertem Lely-Verfahren nahe am thermischen Gleichgewicht gewachsen. Während mit dieser Prozeßführung micropipe-freie 6H-SiC Volumenkristalle erzielt werden, treten beim 4H- und 15R-SiC Wachstum unter den bisher eingesetzten Wachstumsbedingungen Einschlüsse fremder Polytypen auf. In der Umgebung dieser Einschlüsse wird häufig die Nukleation von Micropipes beobachtet. Ramanspektroskopische Untersuchungen zeigen interne Verspannungen in den Übergangsbereichen zwischen den Polytypen. Diese Verspannungen werden als Ursache für die Entstehung der Micropipes angesehen.
Die gewachsenen 4H-/6H- und 15R-SiC Volumenkristalle wurden mittels Hall-Effekt charakterisiert. Die Stickstoffkonzentration der SiC-Volumenkristalle liegt im Bereich von 5x1017 cm−3 bis 2x1018 cm−3. Das Maximum der Elektronen-Hall-Beweglichkeit ist bei 200 cm2 / Vs (6H-SiC) bzw. 300 cm2 / Vs (4H-/15R-SiC).