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HL: Halbleiterphysik

HL 33: Bauelemente

HL 33.3: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 16:30–16:45, H1

Herstellung und Charakterisierung von GaN/AlGaN-HEMTs mit und ohne Recess — •Oliver Breitschädel, B. Kuhn, F. Scholz und H. Schweizer — 4. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart

Aufgrund ihrer physikalischen Eigenschaften sind Gruppe III-Nitride ein vielversprechendes Materialsystem für elektronische Anwendungen im Hochtemperaturbereich. Mit MOCVD wurden GaN/AlGaN Heterostrukturen hergestellt, aus denen mittels optischer Lithographie, Trockenätzen und entsprechender Metallisierung HEMTs mit und ohne Recess (geätzter Graben unter dem Gatebereich) prozessiert wurden. Mit einem geeigneten Recessverfahren kann der Abstand des Steuergates zum Kanal exakt eingestellt und somit eine Verbesserung des Felddurchgriffs auf die aktive Zone erreicht werden. Zur Optimierung des Recess wurden verschiedene Trockenätzverfahren (IBE, ECR-RIE) mit unterschiedlichen Bschleunigungsspannungen durchgeführt. Das Leckstromverhalten des Schottkykontaktes, welches durch zunehmenden Leckstrom infolge der Ätzschäden gekennzeichnet ist, konnte auf diese Weise erheblich reduziert werden. Die nach der Recessherstellung gemessenen Bauelementparameter (Steilheit, Grenzfrequenz) zeigen gegenüber denen ohne Recess eine deutliche Verbesserung.