Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 33: Bauelemente

HL 33.4: Vortrag

Donnerstag, 25. März 1999, 16:45–17:00, H1

Untersuchung der Hochfrequenzmodulation von oberflächenaufgerauhten Leuchtdioden mit hohem Wirkungsgrad — •Alexander Knobloch¹, Reiner Windisch², Paul Heremans², Stefan Meinlschmidt¹, Peter Kiesel¹, Gustaaf Borghs² und Gottfried Döhler¹ — ¹Institut für Technische Physik I, Universität Erlangen-Nürnberg, Erwin-Rommel-Str. 1, 91058 Erlangen — ²IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgien

Mittels Oberflächenaufrauhung und Anbringung eines rückseitigen Spiegels läßt sich der externe Wirkungsgrad von Halbleiterleuchtdioden drastisch erhöhen. Auf diese Art und Weise wurde ein maximaler Quantenwirkungsgrad von 31% für GaAs/AlGaAs-Leuchtdioden (LEDs) mit einer 120 nm dicken GaAs Schicht erreicht.

Insbesondere im Hinblick auf die Anwendung in der optischen Datenübertragung ist das Frequenzverhalten von hohem Interesse. Es zeigt sich, daß die Geschwindigkeit der LEDs stark von der Dicke der aktiven GaAs Schicht abhängt. Mit abnehmender Schichtdicke nimmt hierbei die Geschwindigkeit zu, was allerdings mit einer Abnahme des Wirkungsgrades einhergeht. Diese Abhängigkeiten werden anhand des Vergleichs zwischen einem theoretischen Modell und experimentellen Daten erklärt. Für eine Probe mit einer GaAs Schichtdicke von 30 nm wurden optische Anstieg- und Abfallzeiten von t₁₀⁹⁰<2 ns gemessen. Aus diesem Grund ist ein Augendiagramm noch bei 622 Mbit/s weit offen. Der externe Quantenwirkungsgrad dieser Probe beträgt dabei immer noch 18.7%.