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16:00 |
HL 33.1 |
Meßtechnische Charakterisierung von MOS-Kondensatoren und -Transistoren mit organischen Materialien — •S. Scheinert, S. Pohlmann, G. Paasch, H.-H. Hörhold und R. Stockmann
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16:15 |
HL 33.2 |
MOSFET Skalierung unter der Bedingung konstanter Schwellspannung — •G. Paasch, S. Scheinert, M. Rave und M. Kittler
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16:30 |
HL 33.3 |
Herstellung und Charakterisierung von GaN/AlGaN-HEMTs mit und ohne Recess — •Oliver Breitschädel, B. Kuhn, F. Scholz und H. Schweizer
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16:45 |
HL 33.4 |
Untersuchung der Hochfrequenzmodulation von oberflächenaufgerauhten Leuchtdioden mit hohem Wirkungsgrad — •Alexander Knobloch, Reiner Windisch, Paul Heremans, Stefan Meinlschmidt, Peter Kiesel, Gustaaf Borghs und Gottfried Döhler
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17:00 |
HL 33.5 |
Neuartige Dünnfilmdetektoren für den Einsatz in der Farbbildverarbeitung — •M. Krause, D. Knipp, H. Stiebig, O. Kluth, T. Brammer und H. Wagner
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17:15 |
HL 33.6 |
Vertikale Si-p-MOSFETs mit reduzierten parasitären Kapazitäten — •J. Moers, D. Klaes, A. Tönnesmann, S. Wickenhäuser, L. Vescan, M. Marso, P. Kordoš und H. Lüth
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17:30 |
HL 33.7 |
Ein optischer Transistor monolithisch integriert aus einem optoelektronischen n-i-p-Schalter und einem n-i-p-i-Modulator — •W. Fix, M. Welker, W. Geisselbrecht, P. Velling, W. Prost, F.-J. Tegude und G.H. Döhler
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17:45 |
HL 33.8 |
Active Defect-Engineering by a Controlled Thermal Donor Formation in Cz Silicon — •Reinhart Job, Alexander Ulyashin, and Wolfgang R. Fahrner
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18:00 |
HL 33.9 |
Lichtausbreitung an statistisch mikrostrukturierten Halbleiteroberflächen — •Stefan Meinlschmidt, Reiner Windisch, Stefan Schoberth, Claus Metzner, Alexander Knobloch, Peter Kiesel und Gottfried Döhler
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18:15 |
HL 33.10 |
Wachstum von SiC Volumenkristallen nahe am thermischen Gleichgewicht — •Norbert Schulze, Donovan L. Barrett, Gerhard Pensl, Stefan Rohmfeld und Martin Hundhausen
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